MUR20010CTR
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | MUR20010CTR |
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Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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80+ | $101.6625 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 100 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 25 µA @ 50 V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 100A |
Grundproduktnummer | MUR20010 |
MUR20010CTR Einzelheiten PDF [English] | MUR20010CTR PDF - EN.pdf |
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2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MUR20010CTRGeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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